Intel、東芝、Micronは、現在のNANDよりもはるかに大容量の3D NANDフラッシュメモリを開発していると発表した。
この新しいフラッシュメモリ技術は、NAND 3Dまたは垂直にすると、より多くのメモリを保存できるようになります。空間さらに減りました。このような技術は、ポータブル デバイスで使用できるようになり、パフォーマンスの向上による恩恵を受けることができます。
フラッシュメモリが新たな次元へ
現在、フラッシュ メモリは平面的に設計されており、セルが互いに隣接して配置されています。新しい 3D NAND テクノロジーにより、メモリ モジュールを垂直に積み重ねることができます。この手法を使用すると、より小さなスペースでより多くのメモリを蓄積できます。したがって、より大容量の SSD ドライブを作成し、現在 128 GB に制限されているより大容量のフラッシュ メモリをスマートフォンやタブレットに提供することが可能になります。一方、メモリモジュールを垂直に配置することでメモリモジュール間の情報の流れが速くなるため、これらのデバイスのパフォーマンスは向上します。
Micron Technology のメモリ テクノロジーおよびソリューション担当副社長、Brian Shirley 氏はこのテーマについて次のように話しました。「インテルとマイクロンの協力により、今日の市場で比類のないパフォーマンスと効率を実現する SSD ストレージ テクノロジーが誕生しました。」。さらに彼はこう付け加えた。「この 3D NAND テクノロジーは、市場における真の変革をもたらす可能性を秘めています。スマートフォンやハイパフォーマンス コンピューティングなどの分野におけるフラッシュ メモリの大きな影響は、まだ始まったばかりです。 »
Intel と Micron は、2015 年の最終四半期にこれらの新しい NAND の生産を開始する予定です。したがって、このテクノロジを組み込んだ最初の製品は 2016 年中に発売されるはずです。
